مكتبة الوراق

الرئيسية / هندسة وتقنية / Technical impediments to a more effective utilization of neutron transmutation doped silicon for high-power device fabrication

هندسة وتقنيةTechnical impediments to a more effective utilization of neutron transmutation doped silicon for high-power device fabricationD. R MyersTechnical impediments to a more effective utilization of neutron transmutation doped silicon for high-power device fabrication

Technical impediments to a more effective utilization of neutron transmutation doped silicon for high-power device fabrication

D. R Myers

هندسة وتقنيةالإنجليزية

مكتبة الوراق لا تستضيف ملفات الكتب، بل توصلك إلى نسختها في مصدرها الأصلي. ووضع «الملك العام» يختلف من بلد إلى آخر، فتحقّق من قانون بلدك قبل تنزيل الكتاب أو إعادة نشره. صاحب حق في هذا العمل؟ اطلب إزالته

«Technical impediments to a more effective utilization of neutron transmutation doped silicon for high-power device fabrication» لـD. R Myers: كتاب في الملك…

معلومات الفهرسة

المؤلف
D. R Myers
التصنيف
هندسة وتقنية
اللغة
الإنجليزية
المصدر
مكتبة HathiTrust

نبذة عن الكتاب

«Technical impediments to a more effective utilization of neutron transmutation doped silicon for high-power device fabrication» كتاب للمؤلف D. R Myers ضمن تصنيف «هندسة وتقنية»، مكتوب باللغة الإنجليزية. هو من الكتب الموجودة في الملكية العامة، فيمكنك قراءته مجاناً من المصدر المفتوح عبر الأزرار أعلاه، وإن أعجبك فاضغط «أعجبني» لتساعد غيرك على اكتشافه. وفي الأسفل كتب مشابهة قد تعجبك.

كتب تشبه هذا الكتاب